نسل دوم فرایند ۳ نانومتری GAA سامسونگ در سال ۲۰۲۴ وارد مرحله‌ی تولید انبوه می شود و فروشندگان گوشی‌های هوشمند برای ساخت تراشه‌های مبتنی‌بر لیتوگرافی ۳ نانومتری، همکاری‌های جدیدی را با سامسونگ آغاز می کنند.

اخیراً عرضه‌ی نسل اول تراشه‌های ساخته‌شده براساس معماری ۳ نانومتری GAA خود را آغاز کرده است؛ اما درحال‌حاضر هیچ‌یک از فروشندگان گوشی‌های هوشمند به این فرایند جدید علاقه‌ای نشان نداده‌اند و برای سفارش‌های آینده‌ی خود از ظرفیت‌های TSMC بهره می‌برند. بااین‌حال، احتمال دارد سال ۲۰۲۴ شرایط به‌ بهترین شکل تغییر کند؛ زیرا نسل دوم لیتوگرافی ۳ نانومتری GAA بهبود درخورتوجهی خواهد یافت که می‌تواند مشتریان بیشتری برای این فناوری به‌دست آورد.

اولین سری تراشه‌های مبتنی‌بر فرایند ۳ نانومتری GAA سامسونگ برای سخت‌افزارهای استخراج رمزارز خواهد بود؛ زیرا اطلاعات فعلی به مشارکت این شرکت در توسعه‌ی سیستم-روی-چیپ‌های   SoC مخصوص گوشی‌های هوشمند اشاره نمی‌کند. این یعنی سامسونگ دیگر روی ساخت Exynos 2300 کار نخواهد کرد که برای سری گلکسی S23 در نظر گرفته شده بود. غول فناوری‌ کره‌‌ای با کوالکام به‌توافق رسیده است تا نسل بعدی پرچم‌داران خود را فقط با تراشه‌های اسنپدراگون عرضه کند.

سامسونگ مدعی شده است که نسل دوم معماری ۳ نانومتری GAA درمقایسه‌با اولین نسل آن، پیشرفت‌های درخورتوجهی خواهد کرد که ازجمله‌ی آن‌ها می‌توان به کاهش مصرف انرژی تا ۵۰ درصد و افزایش عملکرد تا ۳۰ درصد و کاهش سطح موردنیاز تا ۳۵ درصد اشاره کرد. همه‌ی این پیشرفت‌ها با فرایند ۵ نانومتری سامسونگ مقایسه می‌شوند؛ بنابراین، درحالی‌که سامسونگ تفاوت‌های آماری را بین معماری ۴ نانومتری خود ارائه نمی‌دهد، لیتوگرافی ۳ نانومتری GAA همچنان در بخش‌های مختلف بهبود خواهد یافت.