سامسونگ تراشههای مبتنیبر نسل دوم لیتوگرافی ۳ نانومتری GAA سال ۲۰۲۴ به تولید انبوه میرساند.
نسل دوم فرایند ۳ نانومتری GAA سامسونگ در سال ۲۰۲۴ وارد مرحلهی تولید انبوه می شود و فروشندگان گوشیهای هوشمند برای ساخت تراشههای مبتنیبر لیتوگرافی ۳ نانومتری، همکاریهای جدیدی را با سامسونگ آغاز می کنند.
مشاهده صفحه