سامسونگ تراشه های نسل دوم لیتوگرافی 3 نانومتری GAA 2024 انبوه
سامسونگ تراشه‌های مبتنی‌بر نسل دوم لیتوگرافی ۳ نانومتری GAA سال ۲۰۲۴ به تولید انبوه می‌رساند.
/samsung-will-mass-produce-chips-based-on-the-second-generation-of-3nm-gaa-lithography-in-2024نسل دوم فرایند ۳ نانومتری GAA سامسونگ در سال ۲۰۲۴ وارد مرحله‌ی تولید انبوه می شود و فروشندگان گوشی‌های هوشمند برای ساخت تراشه‌های مبتنی‌بر لیتوگرافی ۳ نانومتری، همکاری‌های جدیدی را با سامسونگ آغاز می کنند.